4：绝缘栅双极晶体管

1）IGBT的结构和工作原理

GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。

IGBT的工作原理

导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，IGBT导通。

关断：栅射极间施加反压或不加信号时，IGBT关断。

三端器件：栅极G、集电极C和发射极E

IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

2）电力电子器件的现状和发展趋势

20世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功率（10kW以下）场合以电力MOSFET为主，中、大功率场合以IGBT为主的压倒性局面，在10MVA以上或者数千伏以上的应用场合，如果不需要自关断能力，那么晶闸管仍然是目前的首选器件。

宽禁带半导体材料由于其各方面性能都优于硅材料，因而是很有前景的电力半导体材料。

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