2：电力晶体管

电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）。

耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。

应用：20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。在应用中，GTR一般采用共发射极接法。

共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。

3：电力场效应晶体管

通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide   Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET）

电力MOSFET的种类：电力MOSFET主要是N沟道增强型。

电力MOSFET的结构

小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构。

截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

导电：在栅源极间加正电压UGS

静态特性

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。

工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

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